[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310182466.3 | 申请日： | 2013-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103996651B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 杨士亿;李明翰;李香寰;吴宪昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括提供包括形成在第一绝缘材料中的导电部件和设置在第一绝缘材料上方的第二绝缘材料的工件。第二绝缘材料具有在导电部件上方的开口。该方法包括在第二导电材料中的开口内的导电部件的暴露顶面上方形成基于石墨烯的导电层，并且在第二绝缘材料中的开口的侧壁上方形成基于碳的粘合层。在图案化第二绝缘材料中的基于石墨烯的导电层和基于碳的粘合层上方形成碳纳米管（CNT）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供包括形成在第一绝缘材料中的导电部件和设置在所述第一绝缘材料上方的第二绝缘材料的工件，所述第二绝缘材料具有在所述导电部件上方的开口；在所述第二绝缘材料中的所述开口内的所述导电部件的暴露顶面上方形成基于石墨烯的导电层；在所述第二绝缘材料中的所述开口的侧壁上方形成基于碳的粘合层；以及在图案化的所述第二绝缘材料中的所述基于石墨烯的导电层和所述基于碳的粘合层上方形成碳纳米管(CNT)，其中，所述基于石墨烯的导电层用作导电胶层，从而减小所述导电部件、所述基于石墨烯的导电层、以及所述碳纳米管的界面电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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