[发明专利]一种ZnO半导体纳米材料墨水的制备方法有效
申请号: | 201310182777.X | 申请日: | 2013-05-05 |
公开(公告)号: | CN103242695A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 孟秀清;吴锋民;李京波;方允樟 | 申请(专利权)人: | 浙江师范大学 |
主分类号: | C09D11/02 | 分类号: | C09D11/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 321004 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及到一种可用于印刷电路电子器件墨水材料的制备方法,特别是适用于印刷法制备场效应晶体管、二极管的氧化锌墨水的配制方法.属于纳米半导体材料喷墨打印用墨水制备工艺领域,制备出的墨水具有可控性好,稳定性高的特点。本发明工艺简单,制备成本低,适用于规模印刷制备电路电子器件功能层。 | ||
搜索关键词: | 一种 zno 半导体 纳米 材料 墨水 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种ZnO半导体纳米材料墨水的制备方法,其特征在于包括以下步骤:步骤一:在室温下,将表面活性剂溶于去离子水中,磁力搅拌5‑30分钟;步骤二:将ZnO纳米材料作为前驱体加入至步骤一所制的溶液中进行表面活化,所述ZnO纳米材料的量为0.01‑0.4g/ml,并在50‑90℃回流搅拌4‑8小时;步骤三:将表面活化后的ZnO纳米材料进行离心,并在50‑80℃下干燥2‑6小时;步骤四:在室温下将,分散剂溶于的去离子水中,所述分散剂的用量为0.05‑0.3g/ml;步骤五:将步骤三所制得的ZnO纳米材料在含分散剂的去离子水中搅拌0.5‑2小时,然后再超声20‑60分钟,所述搅拌温度为30‑50℃,得到ZnO半导体纳米材料墨水,所述ZnO纳米材料在墨水中的浓度为0.01‑0.4g/ml;步骤六:将步骤五所制得的ZnO半导体纳米材料墨水储存于玻璃器皿中,室温密闭保存。
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