[发明专利]非易失性半导体存储器件有效
| 申请号： | 201310182861.1 | 申请日： | 2005-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN103247341A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 李锡宪;李真烨;朴大植;金泰均;崔永准 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： |
本发明提供一种非易失性半导体存储器件，包括：一组M个存储块；块译码器，每个块译码器与该组M个存储块之一对应，每个块译码器包括用于存储对应的块地址的寄存器；擦除控制器，被配置为控制同时擦除该组M个存储块中的一子组N个存储块的多块擦除操作，擦除控制器还被配置为在多块擦除操作之后，响应于外部提供的擦除校验命令并响应于N个外部提供的块地址之一，控制对于该子组N个存储块的每个的擦除校验操作，其中N大于1并小于或等于M（1 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储器件，包括：一组M个存储块；块译码器，每个块译码器与所述该组M个存储块之一对应，每个块译码器包括用于存储对应的块地址的寄存器；擦除控制器，被配置为控制同时擦除所述该组M个存储块中的一子组N个存储块的多块擦除操作，擦除控制器还被配置为在多块擦除操作之后，响应于外部提供的擦除校验命令并响应于N个外部提供的块地址之一，控制对于所述该子组N个存储块的每个的擦除校验操作，其中N大于1并小于或等于M（1
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