[发明专利]用于带隙基准的二阶曲率温度补偿电路有效
申请号: | 201310183175.6 | 申请日: | 2013-05-17 |
公开(公告)号: | CN103294099A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 明鑫;苟超;李涅;许天辉;张其营;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李顺德 |
地址: | 611731 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及一种适用于带隙基准的二阶曲率温度补偿电路。本发明针对现有带隙基准的二阶曲率温度补偿电路不适用于一些特定工艺的问题,公开了一种新型的二阶曲率温度补偿电路。本发明的技术方案是,用于带隙基准的二阶曲率温度补偿电路,包括,PMOS管:M15、M16、M17、M18、M19,NMOS管:M20、M21。其中,M15的栅极连接经过部分一阶温度补偿的带隙基准电压信号,并作为所述二阶曲率补偿电路的输入端。M16的栅极作为所述二阶曲率补偿电路的输出端。本发明由工作在亚阈值区的PMOS管M15和M16实现电压叠加,在已经部分一阶温度补偿的带隙基准电压的基础上再叠加一个同时具有一阶和二阶温度补偿效果的电压量,从而产生最终的二阶曲率补偿带隙基准输出电压。 | ||
搜索关键词: | 用于 基准 曲率 温度 补偿 电路 | ||
【主权项】:
用于带隙基准的二阶曲率温度补偿电路,包括,PMOS管:M15、M16、M17、M18、M19,NMOS管:M20、M21;其中,M15的栅极连接经过部分一阶温度补偿的带隙基准电压信号,并作为所述二阶曲率补偿电路的输入端,M15的源极与衬底相连并连接M17的漏极、M18的漏极以及M16的源极,M15的漏极连接地电位;M17的栅极连接正温电流源的输出节点,M17的源极连接电源电压;M18的栅极连接负温电流源的输出节点并与M19的栅极相连,M18的源极连接电源电压;M16的栅极和漏极相连并连接M20的漏极,作为所述二阶曲率补偿电路的输出端;M19的漏极连接M21的栅极和漏极以及M20的栅极,M19的源极连接电源电压;M20和M21的源极均连接地电位。
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