[发明专利]薄膜光电导探测器及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201310183177.5 | 申请日： | 2013-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN103311439A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 靳志文;王吉政;张志国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜光电导探测器及其制备方法与应用。该薄膜光电导探测器，由下至上依次包括基底、载流子传输层、电极层和吸光层；电极层由位于同一层的正极层和负极层组成。该探测器结合了无机材料的高迁移率与有机材料的高吸光，当光照射到光电器件的有机层上时，最上层的有机材料吸光产生载流子，由于有机层与无机层间的能级差与载流子的浓度差，光生载流子进入无机材料层，并很快的被电极收集从而有很大的G和R值。同时，因为无机材料高的迁移率，使的器件的光电流响应时间和衰减时间也大大减小，从而提高了薄膜光导器件的灵敏度，具有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电导 探测器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种薄膜光电导探测器，由下至上依次包括基底、载流子传输层、电极层和吸光层；所述电极层由位于同一层的正极层和负极层组成，所述正极层与负极层的水平间距为10‑1000μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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