[发明专利]一种在金刚石表面制作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法有效
| 申请号： | 201310183856.2 | 申请日： | 2013-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN103280394A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 王晶晶;冯志红;何泽召;蔚翠 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在金刚石表面制作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法，包括以下步骤：一、在衬底上形成高阻金刚石层；二、在高阻金刚石层的上表面经处理形成氢端基金刚石；三、将上述样品置于含有极性分子的气体、溶液或溶胶中处理，使氢端基金刚石中的氢端基充分吸附含有极性分子的气体、溶液或溶胶中的极性分子或官能团，从而在氢端基金刚石下表面10-20nm处形成p型导电沟道，在氢端基金刚石的上表面形成极性分子吸附层；四、将上述样品取出后常温淀积介质阻挡层。所述方法可使p型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率在20℃-500℃范围内保持稳定，进而实现金刚石器件在高温环境下正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 表面 制作 稳定 耐高温 氢端基 导电 沟道 方法 | ||
【主权项】：
一种在金刚石表面制作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）在衬底（1）上形成高阻金刚石层（2）；（2）在高阻金刚石层的上表面经处理形成氢端基金刚石；（3）将上述经过步骤2处理后的样品置于含有极性分子的气体、溶液或溶胶中处理，使氢端基金刚石中的氢端基充分吸附含有极性分子的气体、溶液或溶胶中的极性分子或官能团，从而在氢端基金刚石的上表面之下10‑20nm处形成p型导电沟道（3），在氢端基金刚石的上表面之上形成极性分子吸附层（4）；（4）将上述经过步骤3处理后的样品取出后常温淀积介质阻挡层（5），防止吸附了极性分子和官能团的氢端基金刚石表面直接暴露于环境中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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