[发明专利]一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法有效
| 申请号： | 201310184126.4 | 申请日： | 2013-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN103311180A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 冯志红;宋旭波;敦少博;徐鹏;王元刚;顾国栋;房玉龙;吕元杰;尹甲运;邢东 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/77 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法，涉及微波单片集成电路的制作方法技术领域。包括以下步骤：（1）将有源器件形成于半导体基板的正面，无源器件形成于半导体基板的背面；（2）通过有源器件上的栅极PAD以及漏极PAD下的金属通孔将有源器件和无源器件进行电连接；（3）通过有源器件上的源极PAD与零势面的直接接触实现有源器件的源极接地；（4）对上述器件进行封装，在封装过程中需要倒装。所述方法可以将源极寄生电感值降低到最小，同时改善芯片的散热特性，降低芯片对半导体基板厚度的要求，方便加工，提高成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 mmic 功率放大器 性能 芯片 布局 方法 | ||
【主权项】：
一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将功率放大器的有源器件形成于半导体基板的正面，并将功率放大器的无源器件形成于半导体基板的背面；（2）通过有源器件上的栅极PAD以及漏极PAD下的金属通孔将有源器件和无源器件进行电连接；（3）通过有源器件上的源极PAD与零势面的直接接触实现有源器件的源极接地；（4）对经过步骤（3）处理后的器件进行封装，在封装过程中需要倒装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
