[发明专利]修正辅助图案的方法有效
申请号: | 201310184909.2 | 申请日: | 2013-05-17 |
公开(公告)号: | CN104166304B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 吴宗晔;林金隆;范耀仁;简韦瀚;蔡佳君 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 史新宏 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种修正辅助图案的方法,包括下列步骤。首先,由一计算机系统接收一第一布局图案,并将第一布局图案分割为多个第一区域。接着,添加多个辅助图案于第一布局图案中以形成一第二布局图案,且定义相邻任一第一区域的任一边线的至少一辅助图案为一选取图案,随后,将第二布局图案分割为多个第二区域。最后,对具有选取图案的第二区域进行一检测步骤,且修正第二布局图案以形成一已修正的第二布局图案。 | ||
搜索关键词: | 修正 辅助 图案 方法 | ||
【主权项】:
1.一种修正辅助图案的方法,包括:/n由一计算机系统接收一第一布局图案;/n将该第一布局图案分割为多个第一区域;/n添加多个辅助图案于该第一布局图案中以形成一第二布局图案,且定义与任一该第一区域的任一边线接触或间距少于一限定值的至少一该辅助图案为一选取图案;/n将该第二布局图案分割为多个第二区域,使该多个第二区域的边线未接触任一辅助图案,且该第二区域包含的第一布局图案与辅助图案不同于相对应的第一区域包含的第一布局图案与辅助图案;/n对具有该选取图案的该第二区域进行一检测步骤;以及/n修正该第二布局图案以形成一已修正的第二布局图案。/n
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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