[发明专利]可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金属化方法

摘要

本发明公开了一种可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金属化方法，该方法包括：一，将需要进行背面共晶焊金属化的P型硅半导体基材面减薄；二，对步骤一的减薄面进行化学腐蚀或抛光；三，将步骤二经过化学腐蚀或抛光面用稀氢氟酸清洗，然后用DI水冲洗；四，将完成步骤三的半导体基材甩干；五，对完成步骤四的半导体基材的化学腐蚀或抛光面，采用蒸发或溅射的方法依次蒸发或溅射金镓合金或金铝合金或金铟合金、金；六，将完成步骤五的半导体基材在370℃-420℃、气氛为N2或H2环境下合金，制得可用于共晶焊的P型硅器件芯片。该方法进一步提高了P型硅半导体表面掺杂浓度，降低了P型硅半导体基材与金属层的接触电阻及芯片工作压降。

主权项

一种可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金属化方法，其特征是，包括如下步骤：步骤一，将需要进行背面共晶焊金属化的P型硅半导体基材面减薄；步骤二，对步骤一的减薄面进行化学腐蚀或抛光；步骤三，将步骤二经过化学腐蚀或抛光面用稀氢氟酸清洗，HF:H2O=1：100，然后用DI水冲洗；步骤四，将完成步骤三的半导体基材甩干；步骤五，对完成步骤四的半导体基材的化学腐蚀或抛光面采用蒸发或溅射的方法依次蒸发或溅射金镓合金或金铝合金或金铟合金、金；步骤六，将完成步骤五的半导体基材在370℃‑420℃、气氛为N2或H2环境下合金，制得可用于共晶焊的P型硅器件芯片，可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面的结构特点是：P型硅半导体基材1上依次有多元合金层2、金属层3。