[发明专利]具有深槽结构的图形化应变PMOS器件及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201310184991.9 申请日: 2013-05-17
公开(公告)号: CN103227205B 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 王向展;曾庆平;邹淅;甘程;刘斌 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
代理公司: 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 代理人: 刘世平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变PMOSFET采用局部应变技术沟道应力分布不均匀,而采用全局应变技术器件设计灵活性较低的问题,提供了一种具有深槽结构的图形化应变PMOS器件及其制作方法,其技术方案可概括为:具有深槽结构的图形化应变PMOS器件,包括源极、漏极、半导体衬底、栅氧化层、源极扩展区、源极重掺杂区、漏极扩展区、漏极重掺杂区、栅极及侧墙,还包括位于有源区外侧的深隔离槽,仅位于沟道区下方的顶层应变硅及仅位于顶层应变硅下方的介质层,在深隔离槽、源极重掺杂区、漏极重掺杂区、栅极及侧墙的上表面覆盖有本征压应力氮化硅薄膜。本发明的有益效果是,沟道应力更大更均匀,适用于应变PMOS器件。
搜索关键词: 具有 结构 图形 应变 pmos 器件 及其 制作方法
【主权项】:
具有深槽结构的图形化应变PMOS器件,包括源极、漏极、半导体衬底(1)、栅氧化层(3)、源极扩展区(5)、源极重掺杂区(9)、漏极扩展区(6)、漏极重掺杂区(10)、栅极(4)及侧墙(24),其特征在于,还包括分别设置在有源区(14)外侧的深隔离槽(13)、仅位于沟道区下方的顶层应变硅(16)及仅位于顶层应变硅(16)下方的介质层(22),所述深隔离槽(13)的上表面到下表面的垂直距离至少为0.4μm,所述深隔离槽(13)、源极重掺杂区(9)、漏极重掺杂区(10)、栅极(4)及侧墙(24)的上表面覆盖有一层本征压应力氮化硅薄膜(25)。
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