[发明专利]一种压力传感器制作方法及其结构

摘要

本发明提供一种压力传感器制作方法及其结构，至少包括以下步骤：提供一硅衬底以及另一硅片结构；采用键合方法，将该硅片结构封在硅衬底的压力腔定位环上；硅片结构的氧化硅层与硅衬底接触；通过化学机械减薄方法将该顶层硅减薄抛光至所需厚度；在顶层硅上、压力腔定位环围成的区域内制作压阻及金属引线；在所述硅衬底背面形成与压力腔定位环横截面图形相同的压力导入开口图形；用深反应离子刻蚀方法，利用压力导入开口图形形成通道，并使得该通道与压力腔区域贯通，从而释放悬浮薄膜。本发明提出的压力传感器利用封闭压力腔定位环确定弹性膜的长宽尺寸，可以方便制造小量程高灵敏度的压力传感器，不会因为刻蚀工艺的误差导致弹性膜尺寸和厚度的改变，改善器件的一致性和良率。

主权项

一种压力传感器制备方法，其特征在于，所述压力传感器制备方法至少包括以下步骤：1）提供一硅衬底，自其正面向下形成压力腔定位环，所述压力腔定位环包括内圈和外圈；所述外圈围成压力腔区域；2）提供另一硅片结构；其包括顶层硅以及位于所述顶层硅上的氧化硅层；3）采用键合方法，将该硅片结构封在压力腔定位环上；该氧化硅层与硅衬底接触；4）通过化学机械减薄方法将该顶层硅减薄抛光至所需厚度，形成硅弹性膜；5）在所述顶层硅上、压力腔区域内制作压阻；6）继续形成与压阻接触的金属引线；7）在所述硅衬底背面形成与压力腔定位环横截面的形状相同或相似的压力导入开口图形；该压力导入开口图形边缘位于压力腔区域内；8）用深反应离子刻蚀方法，利用压力导入开口图形形成通道，并使得该通道与压力腔区域贯通，从而释放悬浮薄膜。