[发明专利]具有深槽结构的图形化应变NMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201310185281.8 | 申请日： | 2013-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN103280459A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 王向展;曾庆平;甘程;刘斌;邹淅 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 刘世平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变NMOSFET采用局部应变技术沟道应力分布不均匀，而采用全局应变技术器件设计灵活性较低的问题，提供了一种具有深槽结构的图形化应变NMOS器件及其制作方法，其技术方案可概括为：具有深槽结构的图形化应变NMOS器件，包括源极、漏极、半导体衬底、栅氧化层、源极扩展区、源极重掺杂区、漏极扩展区、漏极重掺杂区、栅极及侧墙，还包括设置在有源区外侧的深隔离槽、仅位于沟道区下方的顶层应变硅及仅位于顶层应变硅下方的介质层，在深隔离槽、源极重掺杂区、漏极重掺杂区、栅极及侧墙的上表面覆盖有本征张应力氮化硅薄膜。本发明的有益效果是，沟道应力更大更均匀，适用于应变NMOS器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 图形 应变 nmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
具有深槽结构的图形化应变NMOS器件，包括源极、漏极、半导体衬底（1）、栅氧化层（3）、源极扩展区（5）、源极重掺杂区（9）、漏极扩展区（6）、漏极重掺杂区（10）、栅极（4）及侧墙（24），其特征在于，还包括设置在有源区（14）外侧的深隔离槽（13）、仅位于沟道区下方的顶层应变硅（16）及仅位于顶层应变硅下方的介质层（22），所述深隔离槽（13）、源极重掺杂区（9）、漏极重掺杂区（10）、栅极（4）及侧墙（24）的上表面覆盖有一层本征张应力氮化硅薄膜（25）。
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