[发明专利]IC2微米厚铝刻蚀工艺方法

摘要

IC2微米厚铝刻蚀工艺方法，属于半导体集成电路器件工艺制造的厚铝层刻蚀的技术领域。先采用高定向性的用干法等离子刻蚀机和刻蚀技术刻蚀厚铝层的大部分厚度，再采用后续的喷雾式湿法刻蚀以完成对厚铝层刻蚀的线条分辨率、彻底性、边缘的整齐性修饰。本发明工艺方法先进合理，使得厚铝层的刻蚀结果线条尺寸、清晰度和侧墙的整齐达到要求且完全没有残留物。

主权项

IC2微米厚铝刻蚀工艺方法，其特征是：先采用高定向性的用干法等离子刻蚀机和刻蚀技术刻蚀厚铝层的大部分厚度，再采用后续的喷雾式湿法刻蚀以完成对厚铝层刻蚀的线条分辨率、彻底性、边缘的整齐性修饰，包括以下步骤：1）在硅衬底片的铝层表面涂覆正性光刻胶，胶层厚度为2.45‑2.50微米；2）对涂覆的正性光刻胶按传统铝光刻曝光工艺操作直至显影，获取所需光刻胶图案，显影后进行140℃烘烤20分钟后，在室温下冷却30分钟；3）对步骤2）获取的光刻胶图案进行干法铝刻蚀：设备采用ATM‑8300等离子刻蚀机；材料电子纯： Cl2、BCl3、CHF3、N2；其步骤如下：a)刻蚀机抽真空到20毫乇；b)通入流量30升/分钟的 BCl3和20升/分钟的CHF3；c)调负偏压：‑120V、最大射频功率：1500W、持续刻蚀1:00分钟；d)加入60升/分钟的Cl2、80升/分钟的BCl3和10升/分钟的CHF3，最大射频功率1600W、负偏压：‑235V条件下刻蚀10:00分钟；e)在流量为40升/分钟的Cl2、60升/分钟的BCl3，最大射频功率1500W、负偏压‑200V条件下，刻蚀3分30秒，通氮气，同时关闭Cl2、BCl3、CHF3的气阀，并关闭射频功率及负偏压的开关；保持通氮气10分钟后出炉；f)出炉后立即冲纯净水，冲水至少15分钟；g)冲水后坚膜：180℃、烘烤20分钟，室温下冷却30分钟；h)冷却后打胶：设备：DES‑206，用射频功率200W，在气压1.0乇条件下轰击5分钟，打掉被刻蚀窗口的底膜；4）干法铝刻蚀后用喷雾湿法腐蚀铝：设备：SPW‑612‑A，腐蚀液：铝腐蚀液，药液温度：50±1℃，刻蚀雾气压力：0.4~0.5kg/cm2，喷射位置：硅片中心，喷射形状：扇形；喷射角度：450，水洗旋转刻蚀台：120‑S，水洗时间：1号槽：5分钟，2号槽：5分钟，3号槽5分钟；5）水洗后检验：将无残铝、连条、侵蚀的合格品下传至干法去胶工步；6）干法去胶：设备：OPM‑2100干法去胶机，射频功率：500W、45分钟。