[发明专利]半导体晶圆的温度控制系统及方法

摘要

在第一腔室中接收半导体晶圆，第一腔室处于第一压力水平。半导体晶圆处于第一温度，并通过第一加热模块将半导体晶圆加热至第二温度，而第一腔室的压力水平从第一压力水平降低至第二压力水平。然后，将半导体晶圆提供至维持第三压力水平的第二腔室的支承元件，第三压力水平比第一压力水平更接近于第二压力水平；支承元件处于第三温度，第三温度比第一温度更接近于第二温度。

主权项

1.一种用于半导体晶圆温度控制的方法，所述方法包括：在第一腔室处于第一压力水平且半导体晶圆处于第一温度时，在所述第一腔室接收所述半导体晶圆；利用至少一个温度传感器感测所述半导体晶圆的温度、晶圆盒的温度或环境温度；通过第一加热模块与第二加热模块将所述半导体晶圆加热至第二温度，且将所述第一腔室的所述压力水平降低至第二压力水平；以及将所述半导体晶圆提供至第二腔室的支承元件，其中所述第二腔室维持第三压力水平，所述第三压力水平比所述第一压力水平更接近于所述第二压力水平，且所述支承元件处于第三温度，所述第三温度比所述第一温度更接近于所述第二温度，其中加热控制器耦接至所述第一加热模块、所述第二加热模块和所述至少一个温度传感器，其中所述加热控制器接收所述至少一个温度传感器的温度读数，并且基于所述至少一个温度传感器的所述温度读数确定加热所述半导体晶圆的方式以降低所述第一温度与所述第三温度之间的差距。