[发明专利]一种提高TLC闪存稳定性的方法无效
| 申请号： | 201310186054.7 | 申请日： | 2013-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN104167221A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 万波 | 申请（专利权）人： | 万波;王浩 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210004 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明针对某些TLC闪存相邻区域如果存储电平相同的话，存储特性稳定性下降的特性，对操作闪存的数据进行处理，以提高其稳定性。属于NAND闪存，尤其是TLC闪存操作领域。具体操作方法为：对写入闪存的数据先进行加扰处理，实现数据离散化；然后再写入闪存存储单元；由此避免写入闪存的相邻数据相同的情况，提高TLC闪存的稳定性；从闪存读出数据后，先进行去扰处理，恢复原始数据后输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 tlc 闪存 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高TLC闪存稳定性的方法，其特征在于：它包括数据写入闪存前加扰，将数据打散；闪存数据读出后先进行去扰处理，恢复原始数据的流程和方法。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于万波;王浩，未经万波;王浩许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310186054.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
