[发明专利]一种有机改性二硫化钼纳米片层及其制备方法有效
| 申请号： | 201310187544.9 | 申请日： | 2013-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN103275355A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 胡源;周克清;桂宙 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C08K9/04 | 分类号： | C08K9/04;C08K9/02;C08K3/30;C08L25/06 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机改性二硫化钼纳米片层的制备方法，其包括如下步骤：通过溶剂热法用插层剂对层状二硫化钼进行插层处理后离心、洗涤并干燥，得到插层二硫化钼；将插层二硫化钼水解，得到二硫化钼悬浮液；将有机改性剂加入二硫化钼悬浮液中，在25～90℃下反应3～10h，将得到的产物离心、洗涤并干燥，即获得有机改性二硫化钼纳米片层。本发明提供的有机改性二硫化钼纳米片层制备方法简单，成本低，制得的有机改性二硫化钼纳米片层的层间距大，能较好的分散在有机溶剂中且不易团聚，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 改性 二硫化钼 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有机改性二硫化钼纳米片层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）通过溶剂热法用插层剂对层状二硫化钼进行插层处理后离心、洗涤并干燥，得到插层二硫化钼；（2）将步骤（1）制备的插层二硫化钼水解，得到二硫化钼悬浮液；（3）将有机改性剂加入步骤（2）制备的二硫化钼悬浮液中，在25～90℃下反应3～10h，将得到的产物离心、洗涤并干燥，即获得有机改性二硫化钼纳米片层。
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