[发明专利]用于含铝栅极的无边界接触及其形成方法有效
| 申请号： | 201310187855.5 | 申请日： | 2013-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN103426919A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | S·K·卡纳卡萨巴帕赛;D·V·霍拉克;H·加甘纳特汉 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张臻贤 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明是用于含铝栅极的无边界接触及其形成方法。运用含铝材料以形成取代栅极电极。在其中嵌入取代栅极电极的平坦化电介质层上方形成接触级电介质材料层。经过接触级电介质层形成至少一个接触过孔空腔。竖直地凹陷取代栅极电极的在至少一个接触过孔空腔的底部物理地暴露的任何部分。氧化取代栅极电极内的含铝材料的物理地暴露的部分以形成电介质铝化合物部分。随后将至少一个有源过孔空腔中的每个有源过孔空腔进一步延伸至下层有源区域，该下层有源区域可以是源极区域或者漏极区域。在至少一个有源过孔空腔中的每个有源过孔空腔内形成的接触过孔结构可以与取代栅极电极通过电介质铝化合物部分电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 栅极 边界 接触 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：半导体器件，位于半导体衬底上，所述半导体器件包括含铝材料部分；接触级电介质层，位于所述含铝材料部分的最顶表面之上；接触过孔结构，经过所述接触级电介质层延伸并且与所述半导体器件的导电材料部分接触；以及电介质铝化合物部分，与所述含铝材料部分和所述接触过孔结构接触。
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