[发明专利]一种锆掺杂改性La2NiMnO6陶瓷介电可调材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310188414.7 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103319179A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 曹珍珠;李智;高艳芳;王丽英;刘进荣;何伟艳 | 申请（专利权）人： | 内蒙古工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/50 | 分类号： | C04B35/50;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 010051 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种新型介电可调材料及其合成方法，其化学式为La2NiMn1-xZrxO6(0≤x≤0.2)。本发明采用凝胶-燃烧法合成粉体烧结得到新型介电可调陶瓷材料。Zr掺杂后样品的XRD衍射结果表明在Zr掺杂范围内所有的样品结构均为单斜相。改性后陶瓷材料的品质因子相对于La2NiMnO6室温条件下都有所提高，尤其是La2NiMn0.84Zr0.16O6的品质因子在25℃、偏压电场40V/cm、频率2kHz时比La2NiMnO6提高了5倍以上。此外，样品介电可调率在室温附近仍然在60％以上。因此本发明合成的介电可调材料为室温下低驱动电场介电可调器件的制备奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 改性 la sub nimno 陶瓷 可调 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种锆掺杂改性La2NiMnO6介电可调陶瓷材料，其特征在于：所述的介电可调陶瓷材料部分锆取代La2NiMnO6中的锰，所述介电可调陶瓷材料的化学式La2NiMn1‑xZrxO6，其中，0＜x≤0.2。
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