[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201310188694.1 | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103311389B | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 王明军;魏世祯;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。该外延片包括衬底、在衬底上依次向上生长的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个量子阱层，量子垒层与量子阱层相互交替生长，外延片还包括设于多量子阱层和p型层之间的空穴注入层，空穴注入层的禁带宽度大于多量子阱层中最靠近空穴注入层的量子阱层的禁带宽度。本发明通过设置空穴注入层，在多量子阱层和p型层之间形成一个势阱，该势阱能够聚集从p型层注入到多量子阱层的空穴，然后在外加电压的作用下，将聚集的空穴注入到多量子阱层，从而提高了空穴的注入效率，促进了电子和空穴的辐射复合效率，提高了外延片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片，所述外延片包括衬底、在所述衬底上依次向上生长的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，所述多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个量子阱层，所述量子垒层与所述量子阱层相互交替生长，其特征在于，所述外延片还包括设于所述多量子阱层和所述p型层之间的空穴注入层，所述空穴注入层的禁带宽度大于所述多量子阱层中最靠近所述空穴注入层的量子阱层的禁带宽度；所述外延片还包括设于所述空穴注入层与所述p型层之间的电子阻挡层，所述电子阻挡层的禁带宽度大于所述空穴注入层的禁带宽度；所述空穴注入层为InxGa1‑xN层，所述量子阱层为InyGa1‑yN层，所述电子阻挡层为p型AlaGa1‑aN层，其中，0<x<1，0<y<1，x＜y，0＜a＜1；所述空穴注入层为多层，每层所述空穴注入层的禁带宽度中，最小的禁带宽度不小于所述多量子阱层中最靠近所述空穴注入层的量子阱层的禁带宽度，最大的禁带宽度不大于所述电子阻挡层的禁带宽度，各层所述空穴注入层的InxGa1‑xN中x的取值不同且InxGa1‑xN的厚度厚薄交替。
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