[发明专利]基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器

摘要

本发明涉及一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器，包括一双栅单电子晶体管、一PMOS管和一NMOS管，其特征在于：所述PMOS管的源极连接电源电压Vdd，栅极作为所述锁存器的输入端，漏极作为所述锁存器的输出端并连接所述NMOS管的漏极和所述双栅单电子晶体管的一个栅极，所述NMOS管的栅极连接一基准电压Vg，源极连接所述双栅单电子晶体管的漏极，所述双栅单电子晶体管的另一个栅极连接一控制电压Vctrl，源极接地。本发明的锁存器与传统的CMOS锁存器相比，具有功耗低、电路结构简单、集成度高等优点；而与单电子锁存器相比，本发明的锁存器工作电压较高，输出电压摆幅大，并且减小了电路的传输延迟。

主权项

一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器，包括一双栅单电子晶体管、一PMOS管和一NMOS管，其特征在于：所述PMOS管的源极连接电源电压Vdd，所述PMOS管的栅极作为所述锁存器的输入端，所述PMOS管的漏极作为所述锁存器的输出端并连接所述NMOS管的漏极和所述双栅单电子晶体管的一个栅极，所述NMOS管的栅极连接一基准电压Vg，所述NMOS管的源极连接所述双栅单电子晶体管的漏极，所述双栅单电子晶体管的另一个栅极连接一控制电压Vctrl，所述双栅单电子晶体管的源极接地。