[发明专利]硅片表面金属元素的测量方法有效
| 申请号： | 201310188813.3 | 申请日： | 2013-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN104165922A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 李晓丽;孙威 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/64 | 分类号： | G01N27/64;G01N1/34;G01N1/32 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片表面金属元素的测量方法，包括以下步骤：提供待检测的硅片，并采用腐蚀液对所述硅片的表面进行腐蚀得到样品液；将所述样品液气溶胶化，得到样品液的气溶胶；除去所述样品液的气溶胶中的溶剂分子，得到金属元素的气溶胶；将所述金属元素的气溶胶电离形成金属元素的等离子体；检测所述金属元素的等离子体中金属元素的含量。上述硅片表面金属元素的测量方法，在得到样品液的气溶胶后，通过去除样品液的气溶胶中的溶剂分子，得到金属元素的气溶胶，减少了溶剂元素相互结合或与等离子体结合形成多原子干扰的几率。相比于传统的金属含量测试的方法，上述硅片表面金属元素的测量方法分析速度快且稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 表面 金属元素 测量方法 | ||
【主权项】：
一种硅片表面金属元素的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：提供待检测的硅片，并采用腐蚀液对所述硅片的表面进行腐蚀得到样品液；将所述样品液气溶胶化，得到样品液的气溶胶；除去所述样品液的气溶胶中的溶剂分子，得到金属元素的气溶胶；将所述金属元素的气溶胶电离形成金属元素的等离子体；检测所述金属元素的等离子体中金属元素的含量。
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