[发明专利]具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法

摘要

本发明公开了具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法，其中该半导体装置包括彼此平行的多个平行沟槽；彼此平行的多个交叉沟槽；由平行沟槽和交叉沟槽限定的多个有源区；跨过有源区的多条下导线；彼此平行的多条上导线，交叉下导线且跨越有源区；以及连接到有源区的数据存储元件。平行沟槽和交叉沟槽的每个是直线形。平行沟槽交叉上导线并与上导线形成第一锐角。交叉沟槽交叉平行沟槽并与平行沟槽形成第二锐角。

主权项

一种半导体装置，包括：在半导体基板上彼此平行的多个平行沟槽；在所述半导体基板上彼此平行的多个交叉沟槽；在所述半导体基板上由所述平行沟槽和所述交叉沟槽限定的多个有源区；跨过所述有源区的多条下导线；彼此平行的多条上导线，所述上导线交叉所述下导线并跨过所述有源区；以及连接到所述有源区的数据存储元件，其中：所述平行沟槽和交叉沟槽的每个是直线形，所述平行沟槽交叉所述上导线并与所述上导线形成第一锐角，以及所述交叉沟槽交叉所述平行沟槽和所述下导线并与所述平行沟槽形成第二锐角。