[发明专利]一种基于自对准技术的石墨烯晶体管制造方法

摘要

本发明公开了一种基于自对准技术的石墨烯晶体管制造方法，涉及半导体器件的制造方法技术领域。在衬底上形成石墨烯材料，在石墨烯材料上形成一层金属薄膜，利用平版印刷术形成所需要的光刻胶图形，去除未被光刻胶覆盖的地方的金属，去除未被光刻胶覆盖的地方的石墨烯，形成设计的石墨烯晶体管有源区。形成设计的源、栅和漏的金属电极，源和漏的金属电极与有源区的金属相连，并在源漏之间利用平版印刷术形成所需要的栅光刻胶图形，腐蚀掉暴漏出来的金属，在暴漏出来的石墨烯表面形成种子层，在种子层上形成栅介质，然后在栅介质上形成栅金属，最终形成石墨烯晶体管。所述方法减小栅源和栅漏之间的间距，从而提高石墨烯晶体管的性能。

主权项

一种基于自对准技术的石墨烯晶体管制造方法，其特征在于包括以下步骤：1）在衬底（1）上形成石墨烯层（4）；2）在石墨烯层（4）上沉积一层金属层（5）； 3）在金属层（5）上，通过光刻胶图形（6）覆盖所需要的区域；4）用光刻胶图形（6）作为掩膜，去除掉暴露出来的金属；5）用光刻胶图形（6）作为掩膜，刻蚀掉暴露出来的石墨烯，然后去除光刻胶；6）形成源极（7）、栅极（8）和漏极（9）的金属电极，其中源极（7）和漏极（9）与有源区的金属相连接；7）在源极（7）和漏极（9）之间，用光刻胶形成栅掩膜图形（10）；8）利用光刻胶形成的栅图形做掩膜，去除暴露出的金属；9）利用光刻胶形成的栅图形做掩膜，在暴露出来的石墨烯层（4）上形成栅介质种子层（11）； 10）在栅介质种子层上形成栅介质（12）；11）在栅介质上形成栅金属（13），并去除光刻胶。