[发明专利]半导体发光器件在审
| 申请号： | 201310189914.2 | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103426988A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 黄京旭;柳建旭;车南求;许在赫;成汉珪;郑薰在 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：衬底和在衬底上彼此间隔的纳米结构。纳米结构包括第一导电类型半导体层芯、有源层和第二导电类型半导体层。填充物填充纳米结构之间的空间并且形成为低于多个纳米结构。电极形成为覆盖纳米结构的上部和纳米结构的部分侧面并且电连接至第二导电类型半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：衬底；多个纳米结构，所述多个纳米结构彼此间隔地位于所述衬底上，所述多个纳米结构包括第一导电类型半导体层芯、有源层和第二导电类型半导体层；填充物，所述填充物用于填充所述多个纳米结构之间的空间并且所述填充物形成为低于所述多个纳米结构；以及电极，所述电极形成为覆盖所述多个纳米结构的上部和所述多个纳米结构的部分侧面并且电连接至所述第二导电类型半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310189914.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种变焦红外补光灯及摄像机
- 下一篇：一种阵列基板母板、阵列基板引线检测装置
