[发明专利]栅极介电层保护

摘要

本发明揭露一种栅极介电层保护，其利用耦接栅极介电层保护电路至风险晶体管而实现栅极介电层的保护。启动该保护电路以将该栅极介电层两端的电压VDIFF降至低于其击穿电压VBD。当侦测到静电放电事件时启动该保护电路。该保护电路提供保护或静电放电偏置以将VDIFF降至低于VBD。

主权项

一种半导体装置，包括：晶体管，具有位于衬底上的栅极，该栅极包括位于栅极介电层上方的栅极电极；栅极介电层保护模块，耦接至该晶体管，其中，该栅极介电层保护模块于启动时提供保护偏置，以将该栅极与衬底之间的电压差VDIFF降至低于该栅极介电层的击穿电压VBD，其中，该栅极介电层保护模块包括：感测电路，以侦测静电放电事件；以及偏置电路，耦接至该晶体管，其中，当侦测到静电放电事件时，该感测电路启动该偏置电路，以提供该保护偏置，以及其中：该晶体管为耦接至I/O垫的I/O单元的部分；该I/O单元包括I/O晶体管，该I/O晶体管与该晶体管串联耦接于第一及第二轨线之间，该I/O晶体管的第一端子耦接至该第一轨线且该晶体管的第一端子耦接至该第二轨线；I/O单元输入耦接该I/O垫至该I/O晶体管及该晶体管的栅极；以及I/O单元输出耦接至该I/O晶体管及该晶体管的共同第二端子。