[发明专利]一种稀土掺杂七铝酸十二钙薄膜材料的制备方法有效
申请号: | 201310190016.9 | 申请日: | 2013-05-21 |
公开(公告)号: | CN103311365A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 王锐;曲云飞;邢丽丽;陶冶 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0232;C01F7/16 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 韩末洙 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种稀土掺杂七铝酸十二钙薄膜材料的制备方法,本发明涉及薄膜材料的制备方法。本发明要解决铟的价格高昂且供应受限使其应用受到限制的问题。方法:一、混合;二、压制成原料片;三、制得稀土掺杂七铝酸十二钙多晶材料;四、溅射。利用本发明制备的薄膜的透明导电特性取代价格昂贵的氧化铟锡透明导电薄膜材料,提高太阳电池的光电转换效率,同时达到简化电池结构和降低成本的目的。本发明用于制备稀土掺杂七铝酸十二钙薄膜材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 稀土 掺杂 七铝酸 十二 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种稀土掺杂七铝酸十二钙薄膜材料的制备方法,其特征在于一种稀土掺杂七铝酸十二钙薄膜材料的制备方法,具体是按照以下步骤制备的:一、将CaO粉末和Al2O3粉末混合均匀,再加入稀土氧化物,然后研磨4h~6h,得到混合粉末,其中CaO和Al2O3的物质的量之比为12∶7,稀土氧化物与CaO的物质的量之比为0.042%~0.42%;二、将步骤一得到的混合粉末,在压力为10MPa~20MPa条件下,保压4min~10min,压制成原料片;三、将步骤二得到的原料片在空气气氛下烧结,控制烧结温度为1200℃~1400℃,烧结时间为10h~12h,得到稀土掺杂七铝酸十二钙多晶材料;四、采用磁控溅射法将步骤三得到的稀土掺杂七铝酸十二钙多晶材料溅射到基片表面上,溅射参数为:抽真空至6.0×10‑4Pa~9.0×10‑4Pa,控制溅射压强为1Pa~10Pa,基片温度为300℃~450℃,射频电源溅射功率为90W~120W,溅射时间为60min‑300min,氩气流量为30sccm~50sccm,再将基片表面得到的薄膜材料进行还原后处理,制得稀土掺杂七铝酸十二钙薄膜材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310190016.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:固晶胶压制方法及加压装置
- 下一篇:太阳能光伏组件的支架调节系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的