[发明专利]一种制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310190106.8 | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN104183537B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括下列步骤，提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一超低k层间介电层和金属互连结构；刻蚀去除部分的所述第一超低k层间介电层，以使所述金属互连结构的顶部高于所述第一超低k层间介电层；在所述金属互连结构和所述第一超低k层间介电层上依次形成垫覆盖层和纳米颗粒薄膜层；去除部分的所述纳米颗粒薄膜层，以露出所述金属互连结构上方的所述垫覆盖层；在所述垫覆盖层和所述纳米颗粒薄膜层上形成第二超低k层间介电层；采用紫外线固化处理所述第二超低k层间介电层。根据本发明的制造工艺在金属互连结构上形成具有双应力的垫覆盖层，以避免在采用紫外线固化处理超低k介质层时产生较弱的电介质垫覆盖层接触面以及引起超低k层间介电层的力学失效，同时也避免了在界面处的铜传输和原子空洞的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一超低k层间介电层和金属互连结构；刻蚀去除部分的所述第一超低k层间介电层，以使所述金属互连结构的顶部高于所述第一超低k层间介电层；在所述金属互连结构和所述第一超低k层间介电层上依次形成垫覆盖层和纳米颗粒薄膜层；去除部分的所述纳米颗粒薄膜层，以露出所述金属互连结构上方的所述垫覆盖层；在所述垫覆盖层和所述纳米颗粒薄膜层上形成第二超低k层间介电层；采用紫外线固化处理所述第二超低k层间介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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