[发明专利]反应溅射氧化铱修饰的微电极阵列及其制备方法

摘要

本发明提供了一种反应溅射氧化铱修饰的微电极阵列及其制备方法，反应溅射氧化铱修饰的微电极阵列的制备方法，包括利用微加工技术制备的微电极阵列、反应溅射的氧化铱，其中所述反应溅射的氧化铱溅射在微电极阵列上。本发明利用设定流量的氩气、氧气以及特定的气压来反应溅射氧化铱，确定了使Lift-off工艺顺利进行的反应溅射条件，并且获得较好的电化学性质，使微电极阵列获得更好的电生理采集与刺激效果。

主权项

一种反应溅射氧化铱修饰的微电极阵列的制备方法，其特征在于，反应溅射氧化铱修饰的微电极阵列的制备方法，包括利用微加工技术制备的微电极阵列、反应溅射的氧化铱，所述反应溅射的氧化铱的具体制备如下：（1）把需要氧化铱修饰的电极点区域的微电极阵列放入到溅射腔室，将溅射腔室抽真空；（2）通入氩气，输入功率使氩气电离、起辉；为使反应溅射的氧化铱获得最大的电荷存储能力，氩气的流量范围为2‑100立方厘米每分钟；所述氩气的压力范围为0.24‑7.2帕斯卡，以使反应溅射的氧化铱获得最大的电荷存储能力；（3）通入氧气，调节压力，打开挡板，开始反应溅射的过程；为使反应溅射的氧化铱获得最大的电荷存储能力，氧气的流量范围为5‑40立方厘米每分钟；所述氧气的压力范围为0.18‑5.4帕斯卡，以使反应溅射的氧化铱获得最大的电荷存储能力；（4）关闭输入功率，结束反应溅射过程。