[发明专利]金属栅极晶体管的形成方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201310190331.1 | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN104183473B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;何其暘 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属栅极晶体管的形成方法及半导体器件，该方法包括提供衬底；在所述衬底上形成介质层；在所述介质层上形成伪栅极；在所述伪栅极的周围形成第一侧墙；去除未被所述第一侧墙和伪栅极覆盖住的介质层，以形成栅介质层；形成所述栅介质层之后，去除所述伪栅极，在所述伪栅极所在位置形成金属栅极。通过在伪栅极的周围形成第一侧墙，并以伪栅极和第一侧墙为掩模，对介质层进行刻蚀即可使得栅介质层的侧壁凸出于伪栅极的侧壁外，而不用通过现有非常复杂的刻蚀工艺控制来使得栅介质层的侧壁凸出于伪栅极的侧壁外，由此可见，该方法较为容易实现。另外，通过调节第一侧墙的厚度即可控制栅介质层的侧壁凸出量。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 晶体管 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种金属栅极晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成介质层；在所述介质层上形成伪栅极；所述伪栅极包括第一伪栅极和第二伪栅极，所述第一伪栅极的长度小于所述第二伪栅极的长度，和/或，所述第一伪栅极的宽度小于所述第二伪栅极的宽度；在所述伪栅极的周围形成第一侧墙，所述第一伪栅极周围的第一侧墙的厚度大于第二伪栅极周围的第一侧墙的厚度；去除未被所述第一侧墙和伪栅极覆盖住的介质层，以形成栅介质层；形成所述栅介质层之后，去除所述伪栅极，在所述伪栅极所在位置形成金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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