[发明专利]用于WOx阻变存储器的写电路无效
| 申请号： | 201310190557.1 | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103400596A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 于杰;吴明昊;焦斌;吴华强;邓宁;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 根据本发明实施例的用于WOx阻变存储器的写电路，阻变单元的上电极经过列译码与写电压切换模块中的第一切换电路相连，阻变单元的源极直接与写电压切换模块中的第二切换电路相连，其中，第一切换电路包括四条切换支路，对应的电压值分别为单极性置位操作电压、单极性复位操作电压，0V和双极性置位操作电压，其中，第二切换电路包括两条切换支路，对应的电压值分别为0V和双极性负位操作电压。本发明将单双极性两种操作特性写电路集成在一起，在不增加芯片面积的同时，实现两种写操作皆可操作的目的，使得存储单元置位与复位操作成功率提高一倍。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 wo sub 存储器 电路 | ||
【主权项】：
一种用于WOx阻变存储器的写电路，其特征在于，阻变单元的上电极经过列译码与写电压切换模块中的第一切换电路相连，所述阻变单元的源极直接与所述写电压切换模块中的第二切换电路相连，其中，所述第一切换电路包括四条切换支路，对应的电压值分别为单极性置位操作电压、单极性复位操作电压，0V和双极性置位操作电压，其中，所述第二切换电路包括两条切换支路，对应的电压值分别为0V和双极性负位操作电压。
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