[发明专利]静态随机存储器结构有效
申请号: | 201310190614.6 | 申请日: | 2013-05-21 |
公开(公告)号: | CN104183268B | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 陈金明;黄艳 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种静态随机存储器结构,包括存储区,所述存储区具有第一存储节点和与所述第一存储节点互补的第二存储节点;读取区,第一读取传输管的栅极和第二读取传输管的栅极与读取字线电连接,第一读取传输管的漏极和源极分别与第一读位线和第一存储节点电连接,第二读取传输管的漏极和源极分别与第二读位线和第二存储节点电连接;写入区,第一写入传输管的栅极和第二写入传输管的栅极与写入字线电连接,第一写入传输管的漏极和源极分别与第一写位线和第一存储节点电连接,第二写入传输管的漏极和源极分别与第二写位线和第二存储节点电连接。本发明的静态随机存储器的读写稳定性高。 | ||
搜索关键词: | 静态 随机 存储器 结构 | ||
【主权项】:
一种静态随机存储器结构,其特征在于,包括:存储区,所述存储区具有第一存储节点和与所述第一存储节点互补的第二存储节点;读取区,所述读取区包括第一读取传输管和第二读取传输管,所述第一读取传输管的栅极和所述第二读取传输管的栅极与读取字线电连接;所述第一读取传输管的漏极与第一读位线和第一存储节点中的一个电连接,所述第一读取传输管的源极与另一个电连接;所述第二读取传输管的漏极与第二读位线和第二存储节点中的一个电连接,所述第二读取传输管的源极与另一个连接;写入区,所述写入区包括第一写入传输管和第二写入传输管,所述第一写入传输管的栅极和所述第二写入传输管的栅极与写入字线电连接;所述第一写入传输管的漏极与第一写位线和第一存储节点中的一个电连接,所述第一写入传输管的源极与另一个电连接;所述第二写入传输管的漏极与第二写位线和第二存储节点中的一个电连接,所述第二写入传输管的源极与另一个电连接;其中,所述第一读取传输管和所述第二读取传输管的结构相同,且所述第一读取传输管与所述第二读取传输管旋转对称,所述第一写入传输管和所述第二写入传输管的结构相同,且所述第一写入传输管与所述第二写入传输管旋转对称。
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