[发明专利]一种用PVD技术制备石墨烯或超薄碳膜的方法有效
| 申请号： | 201310190642.8 | 申请日： | 2013-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN103266306A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 闫少建;林宝珠;付德君 | 申请（专利权）人： | 宜昌后皇真空科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/50 |
| 代理公司： | 武汉华旭知识产权事务所 42214 | 代理人： | 周宗贵;刘荣 |
| 地址： | 443500 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用PVD技术制备石墨烯或超薄碳膜的方法，包括以下步骤：首先将基片放入沉积腔中的基片架上，对基片的表面进行辉光清洗；然后在氩气环境、真空度0.5Pa～1 Pa 、70℃～100℃、基体偏压-200V的条件下，向沉积腔中通入乙炔和氩气的混合气体；打开阳极层离子源对混合气体离化，离化时阳极层离子源的电压为300～500V，乙炔被离化后产生含碳阳离子，阳离子在电场作用下对基片轰击并在基片上沉积；沉积完成后在真空条件下退火1～2h，退火完成后即可在基体表面上制得石墨烯或超薄碳膜。本发明所提供的方法能够满足对大规模、厚度均一的石墨烯或超薄碳膜的制备，具有重要的工业应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pvd 技术 制备 石墨 超薄 方法 | ||
【主权项】：
一种用PVD技术制备石墨烯或超薄碳膜的方法，其特征在于包括以下步骤：首先将基片放入沉积腔中的基片架上，对基片的表面进行辉光清洗；之后在氩气环境、真空度0.5Pa～1 Pa 、70℃～100℃、基体偏压－50 V～‑200V的条件下，向沉积腔中通入乙炔和氩气的混合气体；打开阳极层离子源对混合气体离化，离化时阳极层离子源的电压为300～500V，乙炔被离化后产生含碳阳离子，阳离子在电场作用下对基片轰击并在基片上沉积；沉积完成后在真空条件下退火1～2h，退火温度为600～900℃，退火完成后即可在基体表面上制得石墨烯或超薄碳膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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