[发明专利]一种CMOS型高低压集成的工艺器件结构及其制备方法

摘要

本发明公开了本发明公开了一种CMOS型高低压集成的工艺器件结构及其制备方法，所述器件由低压N型金属氧化物半导体场效应晶体管、低压P型金属氧化物半导体场效应晶体管、高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管和中高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管构成；所述制备方法为：在N型衬底上制作N型外延层，接着在N型外延层上制作不同的P型掺杂阱，然后在P型掺杂阱上同时制作低压P型金属氧化物半导体场效应晶体管的体区和中高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的耐压区，最后进行源漏注入。本发明所述工艺器件结构基于外延材料集成纵向功率器件，工艺集成度高，电路设计简单，电路功耗低。

主权项

一种CMOS型高低压集成的工艺器件结构，其特征在于：包括N型重掺杂衬底（1），所述N型重掺杂衬底（1）上设有N型外延层（2），所述N型外延层（2）上依次设有低压P型金属氧化物半导体场效应晶体管（30）、低压N型金属氧化物半导体场效应晶体管（31）、高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（32）和中高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（33），所述低压P型金属氧化物半导体场效应晶体管（30）、低压N型金属氧化物半导体场效应晶体管（31）位于第一P型掺杂阱（3），在所述第一P型掺杂阱（3）内设有第一介质氧化层（34），所述中高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（33）位于第二P型掺杂阱（35），所述低压P型金属氧化物半导体场效应晶体管（30）和所述低压N型金属氧化物半导体场效应晶体管（31）之间通过第一N型掺杂阱（4）与所述第一P型掺杂阱（3）形成的PN结反向作用实现隔离，所述中高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（33）和所述高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（32）之间通过所述N型外延层（2）与所述第二P型掺杂阱（35）形成的PN结反向作用来实现自隔离，在所述N型衬底（1）底部设有金属引线作为漏端电极。