[发明专利]一种低导磁磁芯及其制造方法和用途有效

专利信息
申请号: 201310191315.4 申请日: 2013-05-22
公开(公告)号: CN103258612B 公开(公告)日: 2017-07-21
发明(设计)人: 卢志超;李准;王贤艳;冯硕;吴晓荣;李德仁 申请(专利权)人: 安泰科技股份有限公司
主分类号: H01F1/147 分类号: H01F1/147;H01F27/26;H01F27/25;H01F41/02
代理公司: 北京中安信知识产权代理事务所(普通合伙)11248 代理人: 张小娟
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种低导磁磁芯以及制造方法和用途,所述低导磁磁芯由铁磁软磁合金制成,该合金的分子式为FeaMbCucSidBeM’fXg,其中M是Ni和/或Co,M’是元素V、Ti、Zr、Nb、Mo、Cr、Hf、Ta、W中的至少一种,X表示P、Ge、C以及杂质,以原子百分比为单位a、b、c、d、e、f、g满足以下条件5≤b≤40;0.05≤c≤1;1≤d≤8;10≤e≤20;0.5≤f≤5;0≤g≤0.5;10≤d+e≤25;a=100‑b‑c‑d‑e‑f‑g;所述合金使用状态的微观结构为非晶态。本发明的磁芯具有低磁导率、高抗饱和性能的针对交流和直流分量具有高度可调制性的,线性的B‑H回线,其磁导率在交流和直流时具有高的可调性。
搜索关键词: 一种 低导磁磁芯 及其 制造 方法 用途
【主权项】:
一种低导磁磁芯,该磁芯由铁磁软磁合金制成,其特征在于:所述合金的分子式为FeaMbCucSidBeM’fXg,其中M是Ni和Co,M’是元素V、Ti、Zr、Nb、Mo、Cr、Hf、Ta、W中的至少一种,X表示P、Ge、C以及杂质,以原子百分比为单位a、b、c、d、e、f、g满足以下条件:5≤b≤40;0.05≤c≤0.1;1≤d≤8;10≤e≤20; 0.5≤f≤5;0≤g≤0.5;10≤d+e≤25;a=100‑b‑c‑d‑e‑f‑g;所述合金在制造过程中在晶化温度以下进行去应力热处理,使用状态的微观结构为非晶态;该低导磁磁芯具有以下磁性能:矫顽力磁场强度Hc的值小于10Am‑1。
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