[发明专利]一种DE类功率放大器及其设计方法有效
| 申请号： | 201310191451.3 | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103312279A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 花再军;陈钊;李建霓;黄凤辰 | 申请（专利权）人： | 河海大学 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 朱小兵 |
| 地址： | 210098 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DE类功率放大器及其设计方法，属于功率放大器技术领域。包括第一MOS场效应管S1、第二MOS场效应管S2、第一电感L1、第二电感L2、隔直电容CDC、并联补偿电容C、并联调谐电路和负载电路RL；在驱动信号占空比为25%时，计算设计DE类功率放大器的最优负载电阻RL、第一电感L1、第二电感L2、并联调谐电感Lp、并联调谐电容Cp、并联补偿电容C。本发明提高了低电压供电下的最优负载电阻，且开关导通前晶体管两端电压仅为电源电压的1/5，减小了晶体管寄生输出电容的损耗，提高了DE类功率放大器的工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 de 功率放大器 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种DE类功率放大器，其特征在于：包括第一MOS场效应管S1、第二MOS场效应管S2、第一电感L1、第二电感L2、隔直电容CDC、补偿电容C、调谐电路和负载电路RL；所述隔直电容CDC一端分别接第一电感L1的一端、第二电感L2的一端，隔直电容CDC的另一端分别接调谐电路的一端、补偿电容C的一端和负载电路RL的一端；所述第一MOS场效应管S1源极接地，栅极接第一驱动电压VDr1，漏极接第一电感L1的另一端；所述第二MOS场效应管S2源极接电源Vdd，栅极接第二驱动电压VDr2，漏极接第二电感L2另一端；所述调谐电路包括调谐电容Cp和调谐电感Lp，其中调谐电容Cp两端连接调谐电感Lp的两端。
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