[发明专利]非易失FPGA编程点电路

摘要

本发明属于微电子技术领域，具体为一种非易失FPGA编程点电路。传统的SRAM型FPGA虽然内部SRAM编程点电路读写速度快，但其信息掉电丢失；Flash型FPGA与反熔丝型FPGA虽然具有信息掉电不丢失的特点，但其CMOS工艺兼容性差。本发明对现有FPGA编程点电路进行改进，提出一种将非易失性存储器（阻变存储器RRAM）应用于FPGA编程点电路设计的新型结构。该结构把非易失性存储结构与静态随机存储电路相结合，构成新型FPGA编程点电路。该电路具有非易失性、支持高速在线编程和非易失离线编程两种工作方式等特点。

主权项

一种非易失FPGA编程点电路，其特征在于：采用非易失性存储结构和静态随机存储结构既相互分离、又有机结合的电路结构；其中，非易失存储结构给静态随机存储结构提供上电载入的数据，两者通过选通控制晶体管进行数据选择性传递，并且考虑到静态随机存储结构电路的对称性，采用两组非易失性存储结构提供互补的编程配置数据；所述非易失性存储结构用于进行编程配置，实现不同的配置数据存储，且非易失性存储结构的数据在掉电后信息不丢失，再次上电后，将配置数据从非易失性存储结构载入到静态随机存储结构；所述静态随机存储结构用于快速地实现数据读写，且在非易失性应用场合，直接将数据从非易失性存储结构载入到静态随机存储结构，在断电前，可以将数据从随机存储结构写入到非易失性存储结构；所述非易失性存储结构采用RRAM，所述静态随机存储结构采用SRAM。