[发明专利]用于高纯砷生产的砷铅合金合成升华一体炉无效
申请号: | 201310192216.8 | 申请日: | 2013-05-23 |
公开(公告)号: | CN103290237A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 李显坪;王继荣;高义;陈琦 | 申请(专利权)人: | 扬州高能新材料有限公司 |
主分类号: | C22B30/04 | 分类号: | C22B30/04 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 225123 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 用于高纯砷生产的砷铅合金合成升华一体炉,涉及一种非金属材料的工业化提纯生产技术领域,特别是半导体基础材料高纯砷的生产用砷铅合金合成升华技术。由相互依次连通的物料段、控制段、过渡段和产品物料罐组成,所述物料段、控制段、过渡段分别由炉体、炉瓦炉丝和保温层组成;在所述物料段内设置三氧化二铝陶瓷铅熔池,在所述物料段的上方设置进料口,在所述物料段的前端设置进气口;在所述控制段内置陶瓷填料。本发明的控制段内气流速度可控性好,过渡段也便于调节温度,可有效保障合成和升华的顺利进行。 | ||
搜索关键词: | 用于 高纯 生产 铅合金 合成 升华 一体 | ||
【主权项】:
用于高纯砷生产的砷铅合金合成升华一体炉,其特征在于主要由相互依次连通的物料段、控制段、过渡段和产品物料罐组成,所述物料段、控制段、过渡段分别由炉体、炉瓦炉丝和保温层组成;在所述物料段内设置三氧化二铝陶瓷铅熔池,在所述物料段的上方设置进料口,在所述物料段的前端设置进气口;在所述控制段内置陶瓷填料。
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