[发明专利]一种磁流体薄膜的制作方法有效

专利信息
申请号: 201310193167.X 申请日: 2013-05-23
公开(公告)号: CN103295777A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 赵勇;吕日清;李浩 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: H01F41/14 分类号: H01F41/14;H01F10/00;H01F1/44
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 110819 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种磁流体薄膜的制作方法。该方法主要包括薄膜载玻片上磁流体填充槽的制作以及磁流体填充两部分。在磁流体填充槽制作时,利用氢氟酸、浓硫酸以及水的混合溶液来对载玻片进行腐蚀,根据腐蚀时间的不同得到不同深度的填充槽。然后在不同深度的填充槽内填充磁流体,并盖上盖玻片,最后用紫外光胶封装,最终得到可用于实验研究的厚度均匀且可以长时间保存的磁流体薄膜。
搜索关键词: 一种 流体 薄膜 制作方法
【主权项】:
一种磁流体薄膜的制作方法。
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