[发明专利]具备光电转换和放大功能的异质结三极管有效
| 申请号： | 201310193217.4 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103247675A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 李洪涛;矫淑杰;王宇 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L31/11 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 具备光电转换和放大功能的异质结三极管，属于红外探测技术领域。所述异质结三极管包括N+型GaAs衬底，在衬底表面依次生长的P型GaAS层、N型InSb或N型InAs/GaSb超晶格层，以及设置在N型InSb或N型InAs/GaSb超晶格层之上的透明电极层，在衬底的底部和透明电极层的上部分别设置有金属引线。本发明的红外探测用异质结晶体三极管，可采用分子束外延设备来生产，该设备通过提供极高的真空度，保证了器件制备过程的无污染，从而获得优异的半导体器件性能。使用本发明的异质结三极管，则红外光探测和电信号的初级放大就由一个器件来完成，避免了弱信号的传输，从而使得躁声降低，这对于提高器件的光电响应性能是十分有利的。 | ||
| 搜索关键词： | 具备 光电 转换 放大 功能 异质结 三极管 | ||
【主权项】：
具备光电转换和放大功能的异质结三极管，其特征在于所述异质结三极管包括衬底（101），在衬底（101）表面依次生长的与衬底材料相同的P型层（102）、N型InSb或 N型InAs/GaSb超晶格层（103），以及设置在N型InSb或 N型InAs/GaSb超晶格层（103）之上的透明电极层（104），在衬底（101）的底部和透明电极层（104）的上部分别设置有金属引线（105）。
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