[发明专利]一种电阻炉单晶制备中所需的钼坩埚无效
申请号: | 201310193227.8 | 申请日: | 2013-05-23 |
公开(公告)号: | CN103320850A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 侯玉国 | 申请(专利权)人: | 单县晶瑞光电有限公司 |
主分类号: | C30B15/10 | 分类号: | C30B15/10 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 张贵宾 |
地址: | 274300 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于晶体制造领域,特别公开了一种电阻炉单晶制备中所需的钼坩埚。该电阻炉单晶制备中所需的钼坩埚,包括两个钼坩埚,其特征在于:所述两钼坩埚的外层均喷涂有氧化锆涂层,两个钼坩埚大小配合、上下套装在一起。本发明采用双层套筒氧化锆喷涂式钼坩埚,保证了坩埚的使用寿命,生产中每年用很少几个,坩埚能够反复多次使用,节约钼材资源,大大降低成本,并能增大坩埚尺寸,提高产品收率,保证晶体质量,有利于大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 电阻炉 制备 坩埚 | ||
【主权项】:
一种电阻炉单晶制备中所需的钼坩埚,包括两个钼坩埚(1),其特征在于:所述两钼坩埚(1)的外层均喷涂有氧化锆涂层(2),两个钼坩埚(1)大小配合、上下套装在一起。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于单县晶瑞光电有限公司,未经单县晶瑞光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310193227.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半球形透明穹顶办公设施
- 下一篇:金字塔型建筑物