[发明专利]一种电阻炉单晶制备中所需的钼坩埚无效

专利信息
申请号: 201310193227.8 申请日: 2013-05-23
公开(公告)号: CN103320850A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 侯玉国 申请(专利权)人: 单县晶瑞光电有限公司
主分类号: C30B15/10 分类号: C30B15/10
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 张贵宾
地址: 274300 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明属于晶体制造领域,特别公开了一种电阻炉单晶制备中所需的钼坩埚。该电阻炉单晶制备中所需的钼坩埚,包括两个钼坩埚,其特征在于:所述两钼坩埚的外层均喷涂有氧化锆涂层,两个钼坩埚大小配合、上下套装在一起。本发明采用双层套筒氧化锆喷涂式钼坩埚,保证了坩埚的使用寿命,生产中每年用很少几个,坩埚能够反复多次使用,节约钼材资源,大大降低成本,并能增大坩埚尺寸,提高产品收率,保证晶体质量,有利于大规模生产。
搜索关键词: 一种 电阻炉 制备 坩埚
【主权项】:
一种电阻炉单晶制备中所需的钼坩埚,包括两个钼坩埚(1),其特征在于:所述两钼坩埚(1)的外层均喷涂有氧化锆涂层(2),两个钼坩埚(1)大小配合、上下套装在一起。
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