[发明专利]静电放电保护结构

摘要

一种静电放电保护结构，包括半导体衬底；位于半导体衬底表面的平行排列的若干个N型横向扩散场效应晶体管；位于半导体衬底内的P型体区，P型体区内具有源极、沟道区和体区连接区，体区连接区位于每一个N型横向扩散场效应晶体管靠近源极的外侧；每一个N型横向扩散场效应晶体管的漏极与静电放电输入端相连接，每一个N型横向扩散场效应晶体管的源极与接地端相连接，每一个N型横向扩散场效应晶体管的栅极与第一控制电压端相连接，每一个体区连接区与第二控制电压端相连接。多个LDMOS晶体管连接在一起作为静电放电保护结构，不仅提高了静电放电能力，且各个寄生三极管能同时开启，提高了静电放电保护结构的导通均匀性。

主权项

一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面平行排列的若干个N型横向扩散场效应晶体管，所述N型横向扩散场效应晶体管包括源极、漏极、位于源极与漏极之间的沟道区和位于所述沟道区表面的栅极；位于所述半导体衬底内的P型体区，所述P型体区内具有源极、沟道区和与所述P型体区电连接的体区连接区，所述体区连接区位于每一个N型横向扩散场效应晶体管靠近源极的外侧；每一个N型横向扩散场效应晶体管的漏极与静电放电输入端相连接，每一个N型横向扩散场效应晶体管的源极与接地端相连接，每一个N型横向扩散场效应晶体管的栅极与第一控制电压端相连接，每一个体区连接区与第二控制电压端相连接；当所述第一控制电压端或第二控制电压端的电压大于0伏时，产生所述第一控制电压端或第二控制电压端的电压的电路为：第一电容与第一电阻串联形成RC电路，所述第一电容的一端与静电放电输入端相连接，所述第一电阻的一端与接地端相连接，所述第一电容与第一电阻相连接的一端作为电压输出端，所述电压输出端与第一控制电压端或第二控制电压端相连接。