[发明专利]电熔丝结构及其形成方法、半导体器件

摘要

本发明提供一种电熔丝结构及其形成方法、半导体器件。其中，电熔丝结构的形成方法包括提供半导体衬底，所述衬底具有凸起鳍部，鳍部为半导体材料，鳍部进行了第一类型掺杂；对鳍部顶部进行第二类型掺杂，进行了第二类型掺杂的鳍部顶部作为熔丝；或者，对鳍部顶部进行第二类型掺杂，之后，在鳍部上形成金属硅化物，进行了第二类型掺杂的鳍部顶部和金属硅化物共同作为熔丝，第二与第一类型相反，且第二类型掺杂的掺杂剂量大于第一类型掺杂的掺杂剂量；形成层间介质层，覆盖熔丝和所述衬底；在层间介质层内形成导电插塞，导电插塞在熔丝的两端。本发明提供了一种在鳍部上形成电熔丝结构的方法，以实现在半导体器件上形成电熔丝结构方法的多样性。

主权项

一种电熔丝结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有凸起的鳍部，所述鳍部的材料为半导体材料，所述鳍部进行了第一类型掺杂；在第一区域的鳍部上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述鳍部的顶部和侧壁；在栅极结构的周围形成侧墙；以侧墙为掩膜刻蚀第一区域的鳍部，在侧墙两侧的鳍部内形成凹槽，第二区域鳍部的凹槽与第一区域的凹槽在同一刻蚀步骤中形成；在所述凹槽内填充半导体材料；在第一区域和第二区域的半导体材料表面形成硅层；对第一区域和第二区域的鳍部中的半导体材料、半导体材料表面的硅层以及第二区域的鳍部的顶部进行第二类型掺杂，形成掺杂区；在第一区域和第二区域的硅层、在第二区域的鳍部顶部的掺杂区上形成金属硅化物，进行了第二类型掺杂的鳍部顶部和所述金属硅化物共同作为熔丝，所述第二类型与第一类型相反，且所述第二类型掺杂的掺杂剂量大于第一类型掺杂的掺杂剂量；形成层间介质层，覆盖所述熔丝和所述半导体衬底；在所述层间介质层内形成导电插塞，所述导电插塞在所述熔丝的两端。