[发明专利]电容结构及其制造过程有效
| 申请号： | 201310193905.0 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103811299B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 郭启祥;陈政顺;谢章耀 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种电容结构及其制造过程，其包括以下步骤首先在基板上形成模板层，此模板层包括至少一个第一膜层及至少一个第二膜层的堆叠，其中第一膜层与第二膜层交替布置，且具有不同的蚀刻选择性；接着在模板层中形成开口，再进行湿蚀刻制造过程，使得开口侧壁处的第一膜层相对于第二膜层凹陷；接着在开口的底部及侧壁上形成电容器的下电极，再移除模板层。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 结构 及其 制造 过程 | ||
【主权项】：
一种电容结构的制造过程，其特征在于，包括：在基板上形成模板层，该模板层包括至少一个第一膜层及至少一个第二膜层的堆叠，其中该至少一个第一膜层及该至少一个第二膜层交替布置，且具有不同的蚀刻选择性；在该模板层上形成盖层，且在该盖层中形成孔洞；在该模板层中形成开口，其中该开口对准该孔洞；进行湿蚀刻制造过程，使得该开口的侧壁处的该至少一个第一膜层相对于该至少一个第二膜层凹陷；在该开口的底部及侧壁上形成该电容的下电极；以及移除该模板层，并保留该盖层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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