[发明专利]垂直阵列纳米柱LED的制备方法无效
申请号: | 201310193969.0 | 申请日: | 2013-05-22 |
公开(公告)号: | CN103280500A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 于治国;赵丽霞;魏学成;王军喜;李晋闽 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/44 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种垂直阵列纳米柱LED的制备方法,该方法包括:步骤1:在平面结构LED外延片上生长一层Al2O3层;步骤2:在Al2O3层上制备纳米颗粒模板;步骤3:利用干法刻蚀技术将平面结构LED外延片制备成纳米柱阵列;步骤4:去掉纳米颗粒模板;步骤5:在纳米柱间隙旋涂一层电介质并完全覆盖纳米柱阵列,用于对纳米柱阵列进行平面化处理,得到样品;步骤6:利用干法刻蚀技术对样品进行反刻蚀,刻蚀深度达到LED外延片的表面;步骤7:利用湿法腐蚀掉Al2O3层;步骤8:从去掉Al2O3层的LED外延片的上面向下刻蚀,刻蚀深度小于LED外延片的厚度,在LED外延片的一侧形成台面;步骤9:利用光刻、金属蒸发、带胶剥离技术,在LED外延片的表面制备p电极,在台面上制备n电极。 | ||
搜索关键词: | 垂直 阵列 纳米 led 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种垂直阵列纳米柱LED的制备方法,该方法包括:步骤1:在平面结构LED外延片上生长一层Al2O3层;步骤2:在Al2O3层上制备纳米颗粒模板;步骤3:利用干法刻蚀技术将平面结构LED外延片制备成纳米柱阵列;步骤4:去掉纳米颗粒模板;步骤5:在纳米柱间隙旋涂一层电介质并完全覆盖纳米柱阵列,用于对纳米柱阵列进行平面化处理,得到样品;步骤6:利用干法刻蚀技术对样品进行反刻蚀,刻蚀深度达到LED外延片的表面;步骤7:利用湿法腐蚀掉Al2O3层;步骤8:从去掉Al2O3层的LED外延片的上面向下刻蚀,刻蚀深度小于LED外延片的厚度,在LED外延片的一侧形成台面;步骤9:利用光刻、金属蒸发、带胶剥离技术,在LED外延片的表面制备p电极,在台面上制备n电极。
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