[发明专利]具有电极过渡层的LED芯片及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有电极过渡层的LED芯片及其制造方法，所述芯片至少包括基板，所述基板上形成有一底部到达所述N型半导体层中的凹陷区域；所述P型半导体层上形成有采用溅射法形成的ITO透明导电层；所述ITO透明导电层上部分区域形成有底部材料为Cr的电极过渡层，所述电极过渡层底部的Cr与ITO透明导电层中的O结合形成氧化物；所述电极过渡层上形成有P电极，所述凹陷区域的N型半导体层上形成有N电极。本发明利用溅射法形成ITO透明导电层来提升发光二极管芯片的亮度，同时利用高温退火使得P电极通过电极过渡层与ITO透明导电层牢固结合，从而解决了金属电极脱落的问题，并扩大了退火工艺窗口，避免了P电极、N电极在高温退火下发生褶皱的问题。

主权项

一种具有电极过渡层的LED芯片的制造方法，其特征在于，所述具有电极过渡层的LED芯片的制造方法至少包括以下步骤：1）提供一基板，所述基板自下而上依次包括衬底、N型半导体层、发光层及P型半导体层；2）对所述基板进行部分刻蚀，在所述基板中形成一凹陷区域，所述凹陷区域底部到达所述N型半导体层中；3）采用溅射法在所述P型半导体层上形成一ITO透明导电层；然后在所述ITO透明导电层上部分区域形成电极过渡层；所述电极过渡层底部材料为Cr；4）进行退火以使所述电极过渡层底部的Cr与ITO透明导电层中的O结合形成氧化物；5）在所述电极过渡层上形成P电极，在所述凹陷区域的N型半导体层上部分区域形成N电极。