[发明专利]薄膜晶体管基板在审
申请号: | 201310194497.0 | 申请日: | 2013-05-23 |
公开(公告)号: | CN104124253A | 公开(公告)日: | 2014-10-29 |
发明(设计)人: | 王晓倩;柳智忠;王明宗;郑亦秀 | 申请(专利权)人: | 深超光电(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人: | 徐丽昕 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管基板,包括透明基板、第一绝缘层、第二绝缘层以及多个薄膜晶体管。其中,每一薄膜晶体管包括栅极、源极、汲极、通道层以及通道保护层。所述栅极形成在所述透明基板上,所述第一绝缘层覆盖所述栅极,所述通道层形成在所述第一绝缘层上正对所述栅极的位置,所述通道保护层直接形成在所述通道层上,所述源极和汲极形成在所述第一绝缘层上且分别与通道层的相对两侧连接,所述第二绝缘层形成在所述第一绝缘层上并覆盖所述源极、汲极、通道层和通道保护层。相较于现有技术,本发明薄膜晶体管基板中的开关元件在受到按压时能够有效得到缓冲,不容易被压坏,使用寿命更长。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管基板,包括:透明基板、第一绝缘层、第二绝缘层以及多个薄膜晶体管,其中,每一薄膜晶体管包括栅极、源极、汲极、通道层以及通道保护层,所述栅极形成在所述透明基板上,所述第一绝缘层覆盖所述栅极,所述通道层形成在所述第一绝缘层上正对所述栅极的位置,所述通道保护层直接形成在所述通道层上,所述源极和汲极形成在所述第一绝缘层上且分别与通道层的相对两侧连接,所述第二绝缘层形成在所述第一绝缘层上并覆盖所述源极、汲极、通道层和通道保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的