[发明专利]薄膜晶体管基板在审

专利信息
申请号: 201310194497.0 申请日: 2013-05-23
公开(公告)号: CN104124253A 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 王晓倩;柳智忠;王明宗;郑亦秀 申请(专利权)人: 深超光电(深圳)有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786
代理公司: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 代理人: 徐丽昕
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种薄膜晶体管基板,包括透明基板、第一绝缘层、第二绝缘层以及多个薄膜晶体管。其中,每一薄膜晶体管包括栅极、源极、汲极、通道层以及通道保护层。所述栅极形成在所述透明基板上,所述第一绝缘层覆盖所述栅极,所述通道层形成在所述第一绝缘层上正对所述栅极的位置,所述通道保护层直接形成在所述通道层上,所述源极和汲极形成在所述第一绝缘层上且分别与通道层的相对两侧连接,所述第二绝缘层形成在所述第一绝缘层上并覆盖所述源极、汲极、通道层和通道保护层。相较于现有技术,本发明薄膜晶体管基板中的开关元件在受到按压时能够有效得到缓冲,不容易被压坏,使用寿命更长。
搜索关键词: 薄膜晶体管
【主权项】:
一种薄膜晶体管基板,包括:透明基板、第一绝缘层、第二绝缘层以及多个薄膜晶体管,其中,每一薄膜晶体管包括栅极、源极、汲极、通道层以及通道保护层,所述栅极形成在所述透明基板上,所述第一绝缘层覆盖所述栅极,所述通道层形成在所述第一绝缘层上正对所述栅极的位置,所述通道保护层直接形成在所述通道层上,所述源极和汲极形成在所述第一绝缘层上且分别与通道层的相对两侧连接,所述第二绝缘层形成在所述第一绝缘层上并覆盖所述源极、汲极、通道层和通道保护层。
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