[发明专利]一种含高聚磷纳米硅浆料的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201310194633.6 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103280402A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 沈晓东;成汉文;钟朝伟;杨小旭;万剑 | 申请（专利权）人： | 苏州金瑞晨科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L31/18;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 刘宪池 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含高聚磷纳米硅浆料的制备方法及其应用，制备方法包括以下步骤：1）制备直径为10-100纳米的硅微粒；2）制备含磷组合物；3）将步骤1和步骤2制得的硅微粒和含磷组合物在公转-自传设备中通入保护气氛下混合，得到的含磷纳米硅浆料的粘度在0.5PaS–18.0PaS。将制得的含磷纳米硅浆料通过丝网印刷到电池硅片表面，线条清晰度高，无毛刺，能对硅片进行选择性掺杂并形成高、低掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含高聚磷 纳米 浆料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种含高聚磷纳米硅浆料的制备方法，包括以下步骤：1）制备直径为10‑100纳米的硅微粒；2）制备高聚磷组合物，组分包括磷、硅、氧、氢、碳等元素；3）将步骤1）和步骤2）制得的硅微粒和髙聚磷组合物在公转‑自传设备中通入保护气氛下混合，磷与硅重量比值在0.05 ‑ 0.2之间，得到的髙聚磷纳米硅浆料的粘度在0.5 PaS – 18.0 PaS。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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