[发明专利]连续校正磁共振测量序列的相位误差的方法和磁共振设备有效

专利信息
申请号: 201310195068.5 申请日: 2013-05-21
公开(公告)号: CN103424726A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: J.法尤弗;T.斯佩克纳 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: G01R33/561 分类号: G01R33/561;G01R33/54
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 谢强
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 不同的实施方式涉及一种在其中使用多个顺序入射的多维位置选择高频激励脉冲(1)的磁共振测量序列(5)的情况下连续校正相位误差的方法和一种磁共振设备。该方法包括采集校准拍摄序列(2)中的多个校准梯度回波和从多个校准梯度回波中计算对于相位特性曲线的校正值和对于相位差的校正值。该方法还包括入射另外的高频激励脉冲(1),其中所述入射考虑了校正值。
搜索关键词: 连续 校正 磁共振 测量 序列 相位 误差 方法 设备
【主权项】:
一种用于在其中使用多个顺序入射的多维位置选择高频(HF)激励脉冲(1)的磁共振(MR)测量序列(5)的情况下连续校正相位误差的方法,该方法包括:‑入射多维位置选择HF激励脉冲(1)以利用特定的激励参数激励横向磁化,‑采集所激励的横向磁化的多个校准梯度回波(21),‑从多个校准梯度回波(21)中计算对于HF激励脉冲(1)的相位特性曲线(100)的校正值(110)和对于HF激励脉冲(1)的相位差(101)的校正值(111),‑利用成像拍摄序列(3)检测MR数据,其中所述拍摄序列(3)涉及具有特定的激励参数的横向磁化,‑入射另外的多维位置选择HF激励脉冲(1)以利用另外的特定激励参数激励另外的横向磁化,其中,所述另外的HF激励脉冲(1)的入射考虑了对于相位特性曲线(100)所计算的校正值(110)和对于相位差(101)所计算的校正值(111)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西门子公司,未经西门子公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310195068.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top