[发明专利]用于离子注入装置束流线内部部件的石墨部件无效
| 申请号： | 201310195218.2 | 申请日： | 2006-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103288453A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 齐藤清;横山文昭;铃木均;安藤温子;东城哲朗;筱原诚治 | 申请（专利权）人： | 东洋炭素株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/52 | 分类号： | C04B35/52;C01B31/04;H01J37/317 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙秀武;孟慧岚 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及用于离子注入装置束流线内部部件的石墨部件。一种在高电流低能量型离子注入装置中用于离子注入装置束流线(beam line)内部部件的石墨部件，该石墨部件能够显著减少结合到晶片表面中的颗粒的数量。还提供了用于离子注入装置束流线内部部件的石墨部件，该部件具有1.80Mg/m3或更高的堆积密度和9.5μΩ·m或更低的电阻。优选地，在石墨部件的自然断黏（natural fracture)表面的拉曼光谱中用1370cm-1处的D谱带强度除以1570cm-1处的G谱带强度得到的R值为0.20或更低。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离子 注入 装置 流线 内部 部件 石墨 | ||
【主权项】：
用于离子注入装置束流线内部部件的石墨部件，其具有不小于1.80Mg/m3的堆积密度和不大于9.5μΩ·m的电阻率。
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