[发明专利]铈铽共掺杂稀土硼镓酸盐的发光薄膜及其制备方法和电致发光器件无效
| 申请号： | 201310195325.5 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN104178163A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;陈吉星;王平;张娟娟 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/80 | 分类号： | C09K11/80;H01L33/50 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于光电材料领域，其公开了一种铈铽共掺杂稀土硼镓酸盐的发光薄膜及其制备方法和电致发光器件；该发光薄膜的其化学通式为:RGa3(BO3)4:xCe3+,yTb3+；其中，RGa3(BO3)4是基质，Ce3+和Tb3+是激活光离子，为发光薄膜的发光中心，R选自Y,La,Gd或Lu元素，x的取值范围为0.01～0.05，y的取值范围为0.01～0.08。铈铽共掺杂稀土硼镓酸盐的发光薄膜，其电致发光谱（EL）中，在490nm和580nm位置有很强的发光峰。 | ||
| 搜索关键词： | 铈铽共 掺杂 稀土 硼镓酸盐 发光 薄膜 及其 制备 方法 电致发光 器件 | ||
【主权项】：
一种铈铽共掺杂稀土硼镓酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:陶瓷靶材的制备:分别称取R2O3，Ga2O3，B2O3，CeO2和Tb4O7粉体，均匀混合后，在900～1300℃下烧结，制得陶瓷靶材，其中，R2O3，Ga2O3，B2O3，CeO2和Tb4O7的摩尔比为0.5:1.5:2:x:0.25y；将制得的陶瓷靶材和ITO玻璃衬底装入镀膜设备的腔体中，密封腔体后，对腔体进行抽真空处理，控制腔体真空度为1.0×10‑3Pa～1.0×10‑5Pa；设置镀膜工艺参数:设置基靶间距为45～95mm，衬底温度为250℃～750℃，镀膜激光的能量为80～300W，过程中通入流量为10～40sccm的氧气，工作压强为0.5～5Pa；待工艺参数设置完成后，进行镀膜处理；随后在ITO玻璃衬底的ITO层表面制得铈铽共掺杂稀土硼镓酸盐的发光薄膜，该发光薄膜的其化学通式为:RGa3(BO3)4:xCe3+,yTb3+；其中，:RGa3(BO3)4是基质，Ce3+和Tb3+激活光离子，为发光薄膜的发光中心，R选自Y,La,Gd或Lu元素，x的取值范围为0.01～0.05，y的取值范围为0.01～0.08。
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